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一种在亚微米数字集成电路上的形成钛硅化合物方法技术
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文档序号:3202388
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一种在亚微米集成电路的硅片上形成钛硅化合物的方法,其步骤为: 第一步,在硅片上进行积淀前的表面清洗,以利于钛与硅发生反应; 第二步,在清洗过的硅片表面进行钛的积淀,形成一层钛薄膜层; 第三步,在钛薄膜的表面进一步积淀一定厚...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。
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