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本发明涉及一种混合永磁转子自漏磁型可变磁通记忆电机。转子上分布高矫顽力永磁体和低矫顽力永磁体。所述低矫顽力永磁体周向“一”字型排列。所述高矫顽力永磁体径向分布以及位于低矫顽力永磁体的两端。所述径向高矫顽力永磁体的端部与周向永磁体之间的磁桥为...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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