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一种高精度模拟电路芯片制造方法，其特征在于包括以下步骤：　　　　ａ．完成埋层、生长外延层、场注入、光刻阱区、阱区注入、光刻有源区、生长栅氧化层、有源区注入、淀积多晶硅、光刻多晶硅等工序；　　　　ｂ．淀积金属；　　　　ｃ．从同一批次的硅片中取...
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