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中芯国际集成电路制造上海有限公司
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用于将铜与金属-绝缘体-金属电容器结合的方法和结构技术
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下载用于将铜与金属-绝缘体-金属电容器结合的方法和结构的技术资料
文档序号:3202130
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一种集成电路器件,该器件包括: 衬底; 覆于所述衬底上的绝缘层; 覆于所述绝缘层上的铜金属层; 覆于所述铜金属层上的刻蚀阻挡层; 覆于所述刻蚀阻挡层上的介电材料夹层,所述介电材料夹层包括一上表面; 形成于...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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