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本发明公开一种形成半导体器件的位线的方法。在用于形成一半导体器件的动态随机存取存储器中的位线的线图案化工艺中，通过化学气相沉积方法，在包含接触孔的层间绝缘膜中相继形成一阻挡金属层及一钨层，以填满该接触孔。接着，去除该阻挡金属层及该钨层直到暴...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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