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本发明公开一种抑制因高密度等离子体导致晶体管栅极氧化膜劣化的方法。在形成栅电极之后，将杂质注入到间层绝缘膜表面，由此改变该间层绝缘膜的表面特性，以此方式来分散属于该间层绝缘膜劣化因素的紫外线。由此，防止紫外线渗透至栅极绝缘氧化膜中。...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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