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本发明提供了形成半导体电路中的电容器的下电极的方法及通过该方法形成的电容器。下电极通过形成膨体底层并在其上沉积导电材料而制作成。在形成下电极的方法的一实施例中，膨体层通过壳体的绝缘层的上面沉积包含烃嵌段和含硅嵌段的聚合材料、并随后通过将聚合...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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