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本发明涉及一种发光二极管元件，其是在基板表面先成长一ｎ－ＧａＮ层，并于此ｎ－ＧａＮ的表面成长ＳｉＯ↓［２］，且利用黄光微影制程，将台面区域的ｎ－ＧａＮ露出，再将此晶片经ＭＯＣＶＤ于台面区域外延成长发光二极管结构，利用选择性区域成长氮化镓外延...
该专利属于璨圆光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过璨圆光电股份有限公司授权不得商用。

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