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本发明旨在用于制造高级高－κ堆叠结构的（１００）的栅极和电容介电质。根据本发明，在ＭＯＣＶＤ或ＡＬＤ工艺中使用金属烷基酰胺，来生成金属氧氮化物或金属－硅－氧氮化物介电膜（１２０）。金属氧氮化物或金属－硅－氧氮化物膜可位于硅基底（１１０）和掺...
该专利属于阿维扎技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过阿维扎技术公司授权不得商用。

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