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具有减少的栅极电荷和减小的导通电阻的半导体器件及其制造方法，在一个实施例中，半导体器件包括第一导电类型的半导体材料，在半导体材料中设置第二导电类型的本体区。本体区与ＪＦＥＴ区相邻。第一导电类型的源极区设置在本体区中。在半导体材料上设置栅极层...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

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