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本发明提供了具有优良机械特性的多孔，低－Ｋ介电薄膜和制备此薄膜的方法，以及作金属布线特征间介电层的此薄膜的用法。该多孔，低－Ｋ介电薄膜包括直径为约１至约１０ｎｍ，基本均匀分开放置且基本位于三维周期晶格上的单分散孔的第一相；和为包围第一相实心...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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