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本发明公开了一种低场大磁致应变Ｆｅ－Ｇａ磁致伸缩材料及其制备方法，该磁致伸缩材料化学式为：Ｆｅ↓［１－Ｘ］Ｇａ↓［Ｘ］，其中Ｘ＝０．１５～０．３０。该磁致伸缩材料制备方法为先将原材料熔炼成棒材，然后采用悬浮区熔法定向凝固制备低场大磁致应变Ｆ...
该专利属于北京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京航空航天大学授权不得商用。

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