温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种可以通过紫外线擦除保存的数据的紫外线擦除型半导体存储装置。使构成存储单元的２个ＭＯＳＦＥＴ中一个的沟道宽度Ｗ↓［Ａ］比另一个的沟道宽度Ｗ↓［Ｂ］窄地形成。由此，在照射紫外线后的初始化状态中，具有沟道宽度Ｗ↓［Ａ］的ＭＯＳＦＥＴ...
该专利属于三洋电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三洋电机株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。