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本发明公开了一种氧化铟薄膜材料及制备方法。材料包括衬底，特别是衬底上覆有单层或多层氧化铟球形孔构成的薄膜，氧化铟球形孔的直径为１００～５０００ｎｍ，薄膜的厚度为５０ｎｍ～１００μｍ；方法包括用旋涂法或垂直提拉法将胶体球附于衬底表面而形成模板...
该专利属于中国科学院固体物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院固体物理研究所授权不得商用。

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