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本发明乃涉及一种具应力吸收半导体层（ＳＡ）之半导体组件及其制造方法，产生机械应力的一结晶性应力产生层（ＳＧ）乃形成于载体材料（１）上。传送已产生的机械应力至应力吸收半导体层（ＳＡ）的绝缘应力传送层（２）乃形成于该结晶性应力产生层（ＳＧ）的表...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。

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