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一种自对准碳纳米管场效应晶体管半导体器件，包括沉积在衬底（１０２）上的碳纳米管（１０４）、分别形成在该碳纳米管（１０４）的第一端和第二端的源极和漏极（１０６－１０７）、以及基本形成在该碳纳米管（１０４）的一部分上并通过介电膜（１１１）与该碳...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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