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本发明涉及多层介电结构的生产并涉及包含这些结构的半导体设备和集成电路。通过将多孔介电层经中间的增粘介电层粘合到基本上无孔的贴面层上来制备本发明的结构。所制备的多层介电结构具有孔隙率为约１０％或更高的多孔介电层；在所述多孔介电层上的增粘介电层...
该专利属于霍尼韦尔国际公司所有，仅供学习研究参考，未经过霍尼韦尔国际公司授权不得商用。

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