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本发明公开了一种制造化合物半导体以及制造半导体器件的方法，该半导体包括衬底和相对于该衬底的晶格失配比为２％或更多的化合物半导体层，该制造半导体的方法包括：在所述衬底上形成缓冲层的第一外延生长步骤，该缓冲层在厚度方向上具有预定分布的晶格失配比...
该专利属于索尼株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过索尼株式会社授权不得商用。

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