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提供一种改善了肖特基结电极的耐热性并且功率性能和可靠性优良的ＧａＮ系半导体装置。在具有与ＡｌＧａＮ电子供给层（１４）接触的肖特基性栅电极（１７）的半导体装置中，栅电极（１７）为由Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ中任一种所形成的第一金属层（１７１）、由Ｍｏ、...
该专利属于日本电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本电气株式会社授权不得商用。

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