温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种非挥发性存储单元及其制造方法，此存储单元至少是由衬底、栅极、第一源极／漏极区、复合介电层、第二源极／漏极区所构成。其中，衬底具有一沟槽；栅极位于沟槽中；第一源极／漏极区位于沟槽底部；复合介电层位于栅极与沟槽表面之间，且复合介电...
该专利属于力晶半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力晶半导体股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。