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本申请涉及竖直晶体管阵列和用于形成竖直晶体管阵列的方法。竖直晶体管阵列包括个别竖直晶体管的间隔开的柱，其个别地包括上部源极/漏极区、下部源极/漏极区和竖直地位于它们之间的沟道区。上部源极/漏极区包括柱中的个别柱中的导体氧化物材料。沟道区包括...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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