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一种基于微机电系统的巨磁阻抗效应磁敏器件的制作方法。属于传感器技术领域。本发明采用微机电系统（ＭＥＭＳ）技术，对双面氧化的硅片进行处理，得到双面套刻对准符号，以便曝光时提高对准精度；采用准－ＬＩＧＡ光刻技术和微电镀技术制备曲折状三明治结构Ｆ...
该专利属于上海交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海交通大学授权不得商用。

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