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本发明公开了一种室温铁电薄膜红外焦平面探测器的吸收层及制备方法,所说的吸收层是置在焦平面探测器的上电极层上的,或者是置在焦平面探测器的铁电薄膜上的钛与二氧化钛混合的多孔薄层。制备方法首先采用直流磁控溅射方法将金属Ti溅射铁电薄膜上或上电极层...该专利属于中国科学院上海技术物理研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院上海技术物理研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种室温铁电薄膜红外焦平面探测器的吸收层及制备方法,所说的吸收层是置在焦平面探测器的上电极层上的,或者是置在焦平面探测器的铁电薄膜上的钛与二氧化钛混合的多孔薄层。制备方法首先采用直流磁控溅射方法将金属Ti溅射铁电薄膜上或上电极层...