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一种基于ＦＩＮＦＥＴ技术的ＥＳＤ　　ＬＵＢＩＳＴＯＲ结构使用垂直鳍（５０）（包含器件的源极、漏极和本体的薄垂直构件），可选的具有和不具有栅极（６０）。栅极（６０）可以连接于被保护的外部电极（５１）来制作自激励器件且可以连接于参考电压（９２）...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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