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本发明涉及用于制造一半导体装置的一扩散阻挡层的方法，该方法包括步骤：形成一绝缘层一金属互连线；蚀刻绝缘层，由此形成一开口以曝露金属互连线的一部分；形成一浸渍层于绝缘层与开口上；形成一扩散阻挡层于浸渍层上；且将一金属层填进开口。...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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