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在半导体衬底上设置具有开口部分４２的层间绝缘膜４１。向开口部分４２内填埋以Ｃｕ为主要成分的布线本体层４６。在开口部分内在层间绝缘膜４１与布线本体层４６之间存在有势垒膜４４，势垒膜４４以规定的金属元素和层间绝缘膜４１的构成元素之间的化合物为主...
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