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公开了一种具有用来控制阈值电压的背栅的紧凑的半导体结构及其制作方法。此半导体结构的制造以直接在下方电隔离层上形成半导体区而开始。然后，在半导体区上形成芯体和隔垫。接着，形成背栅区，此背栅区被背栅隔离层分隔于半导体区并被栅间隔离层覆盖。接着，...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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