下载使用非寻常接触形成方法来减少半导体单元接触缺陷的方法的技术资料

文档序号:3198374

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本发明描述了一种在半导体装置中提供至少一个接触的方法及系统。该半导体装置包括基片(201)、蚀刻终止层(240)、在蚀刻终止层(240)上的层间电介质(250)、在层间电介质(250)上的消反射涂层(ARC)(260)以及在蚀刻终止层(24...
该专利属于斯班逊有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过斯班逊有限公司授权不得商用。

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