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在异质支撑衬底上形成多晶半导体薄膜的方法，所述方法包括：　　　　ｉ．在所述衬底的目标表面上沉积金属薄膜，在所述金属薄膜之上形成多晶半导体薄膜；　　　　ｉｉ．在金属表面上形成金属氧化物和／或金属氢氧化物的薄膜；　　　　ｉｉｉ．在金属氧化物和／...
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