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制造记忆胞元之方法、记忆胞元及记忆胞元装置制造方法及图纸
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文档序号:3197987
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一种用于制造一二进制信息记忆胞元的方法,其中 ●在一基板中及/或上形成一第一电传导区域; ●在离该第一电传导区域一预定距离处形成一第二电传导区域,使该第一与该第二电传导区域间形成一凹穴; ●建立该第一与该第二电传导区域,使...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有,仅供学习研究参考,未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。
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