下载含有非反应活性缓冲层的有机薄膜晶体管及其制作方法的技术资料

文档序号:3197933

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本发明属于有机薄膜晶体管技术领域,具体涉及含有非反应活性缓冲层的有机薄膜晶体管及其制作方法。本发明通过在源/漏电极和有机半导体层之间增加一层非反应活性的缓冲层,缓冲层是有机半导体材料,电导率在10↑[-6]~10↑[-1]Ω↑[-1]cm↑...
该专利属于中国科学院长春应用化学研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院长春应用化学研究所授权不得商用。

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