温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明属于有机薄膜晶体管技术领域,具体涉及含有非反应活性缓冲层的有机薄膜晶体管及其制作方法。本发明通过在源/漏电极和有机半导体层之间增加一层非反应活性的缓冲层,缓冲层是有机半导体材料,电导率在10↑[-6]~10↑[-1]Ω↑[-1]cm↑...该专利属于中国科学院长春应用化学研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院长春应用化学研究所授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明属于有机薄膜晶体管技术领域,具体涉及含有非反应活性缓冲层的有机薄膜晶体管及其制作方法。本发明通过在源/漏电极和有机半导体层之间增加一层非反应活性的缓冲层,缓冲层是有机半导体材料,电导率在10↑[-6]~10↑[-1]Ω↑[-1]cm↑...