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一种集成电路装置（１０）的制造方法，其中以下步骤是被执行：　　　　被中介层（１２）覆盖的初始金属化层（１２，１８）是被制造，　　　　绝缘层（２０）是于该初始金属化层（１８）制造之后被敷设，　　　　该绝缘层（２０）是使用干式蚀刻程序图案化形成...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。

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