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本发明涉及形成半导体器件的电容器的方法，可获得所需的漏电流特性及充电电容。本发明方法包括下列步骤：在具有储存节点接触的半导体衬底上形成下电极，该下电极与储存节点接触相互连接；对所述的下电极进行等离子体氮化，用以在下电极的表面形成第一氮化膜；...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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