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提供一种使用突变ＭＩＴ半导体材料层的二端子半导体器件。该二端子半导体器件包括：第一电极层，设置在该第一电极层上并具有小于２ｅＶ的能隙以及位于空穴能级的空穴的突变ＭＩＴ半导体有机或者无机材料层，以及设置在该突变ＭＩＴ半导体有机或无机材料层上的...
该专利属于韩国电子通信研究院所有，仅供学习研究参考，未经过韩国电子通信研究院授权不得商用。

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