温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供一种用于抛光半导体晶片上的二氧化硅和氮化硅的水性组合物,包括0.01-5wt%的羧酸类聚合物,0.02-6wt%磨料,0.01-10wt%聚乙烯吡咯烷酮,0-5wt%阳离子化合物,0-5wt%的两性离子化合物和余量的水,其中聚乙烯...该专利属于罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供一种用于抛光半导体晶片上的二氧化硅和氮化硅的水性组合物,包括0.01-5wt%的羧酸类聚合物,0.02-6wt%磨料,0.01-10wt%聚乙烯吡咯烷酮,0-5wt%阳离子化合物,0-5wt%的两性离子化合物和余量的水,其中聚乙烯...