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本发明提供了一种存储位元的制备方法及MRAM的制备方法。该制备方法包括以下步骤：提供具有第一表面的第一基体，第一表面上设置有第一隧道结材料层和第一掩膜层，第一掩膜层位于第一隧道结材料层远离第一基体的一侧；通过第一掩膜层将第一隧道结材料层刻蚀...
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