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本发明公开了一种ＧａＮ半导体系列材料的异质外延方法。该方法是在ＳｉＣ衬底（１１１）面和蓝宝石衬底（０００１）面上，利用金属有机物化学气相淀积ＭＯＣＶＤ工艺，首先淀积过渡层和掩膜，并按照涉及图案刻蚀掩膜，进入并暴露出缓冲层ＡｌＮ作为生长种子区...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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