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一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，属于半导体器件领域，包括衬底上依次形成的成核层、ＧａＮ层和势垒层，以及势垒层上的源极、栅极和漏极，其中源极、漏极与势垒层形成欧姆接触，栅极与势垒层形成肖特基接触，其特征是，它还包括一层位于势垒层上、栅极和漏极...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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