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本发明涉及一种直径至少为２００毫米、包括一个由硅构成的载体晶片、一个电绝缘层以及一个位于其上的半导体层的半导体晶片，该半导体晶片是利用包括至少一个快速热退火步骤的层转移法而制得，其特征在于，该半导体晶片的翘曲度低于３０微米，Ｄｅｌｔａ翘曲度...
该专利属于硅电子股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅电子股份公司授权不得商用。

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