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一种含有活性基底的集成电路制品，该基底至少包括晶体管、含有金属线路图的电互连结构、和在３５０℃至４２５℃的温度范围内具有由热机械分析所测定的低于１１５ｐｐｍ／℃的热膨胀系数的聚亚芳基材料。...
该专利属于陶氏环球技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过陶氏环球技术公司授权不得商用。

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