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本发明揭示了一种包含改进的衬层结构的半导体器件，该衬层结构形成在通路孔（５）中，该通路孔具有穿入金属线（７）的延伸的侧壁部分和底面（８）。该衬层结构包括两衬层，第一衬层（６）存在于通路孔侧壁上，但不存在于底面上，和第二衬层（９）位于第一衬层...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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