温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明揭示了利用晶格常数匹配技术制作的氮化镓系发光二极管结构。当采用氮化铝铟（Ａｌ↓［ｘ］Ｉｎ↓［１－ｘ］Ｎ）为被覆层材料时，可达成其晶格常数与氮化镓（ＧａＮ）材料相匹配的目的，避免因磊晶成长时，产生的应力过大进而造成磊晶不良的特性。并且，...
该专利属于璨圆光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过璨圆光电股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。