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本发明涉及一种对等离子体刻蚀进行定量监测的方法及监测结构，其是在被刻蚀的硅片上设置一包括可动电极和固定电极的监测结构，监测结构包括一可动电极和一固定电极，当需要对硅片的刻蚀进行控制时，通过多次刻蚀和测量所述监测结构两电极间的侧向吸合电压，就...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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