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一种平坦多晶硅薄膜晶体管制作方法，先在基板上依序形成缓冲层、保护层以及多晶硅层，并图案化多晶硅层，以定义出硅岛主动区域。然后，植入离子于部分多晶硅层，使形成源／汲极区于多晶硅层中。接着，以稀释缓冲氧化硅蚀刻液微蚀刻处理多晶硅层，以改变多晶硅...
该专利属于财团法人工业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过财团法人工业技术研究院授权不得商用。

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