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本发明提供了一种纳米栅的制备方法，还提供了通过该方法制备的纳米栅和应用。本发明的方法可以简化纳米尺度的栅的制备，精确控制栅长尺寸，并实现纳米栅器件的制备，进而提升电子器件的性能。子器件的性能。子器件的性能。
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该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

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