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本发明涉及一种半导体器件，该半导体器件设置在半导体本体（１）中，并且包括至少一个源区（４）和至少一个漏区（５），每一个都具有第一导电类型，和至少一个具有第二导电类型的设置在源区（４）和漏区（５）之间的本体区（８），以及至少一个通过隔离层（９...
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