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本发明公开了一种用作高压器件的三维多栅高压Ｎ型横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：Ｐ型衬底，在Ｐ型衬底上设有氧化层，在氧化层上设有柱状Ｎ型漂移区，在氧化层上且位于Ｎ型漂移区两端分别相邻设置Ｎ型漏和Ｎ沟道，在氧化层上且位于与Ｎ沟道相邻的位置设...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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