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玻璃基绝缘体上覆半导体结构及其制造方法技术
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文档序号:3196060
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提供一种绝缘体上覆半导体(SOI)结构(包括大面积SOI结构),它包括一个或多个含有基本上为单晶的半导体材料(例如掺杂硅)层(15)组成的区域,所述区域附着在由氧化物玻璃或氧化物玻璃陶瓷组成的支承基片(20)上。所述氧化物玻璃或氧化物玻璃陶...
该专利属于康宁股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过康宁股份有限公司授权不得商用。
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