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本发明公开了一种具有存取晶体管和电场可编程双稳态元件的存储单元。存取晶体管可以是具有耦合到电场可编程双稳态或多稳态元件的门极、源极或漏极的ＭＯＳＦＥＴ晶体管。本发明也公开了多个存储单元，每个具有唯一的、不同的和／或独特的电场可编程双稳态元件...
该专利属于罗姆和哈斯公司所有，仅供学习研究参考，未经过罗姆和哈斯公司授权不得商用。

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