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本发明提供了一种ＣＭＯＳ图像传感器及其制造方法，其中通过减少光刻处理的次数减少了制造成本，并通过解决滤色器层与微透镜之间的对准问题提高了成品率。在一个实施例中，该ＣＭＯＳ图像传感器包括：衬底层，其具有单位像素（例如，光电二极管和各种晶体管）...
该专利属于东部亚南半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东部亚南半导体株式会社授权不得商用。

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